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SI3585DV-T1-GE3
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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SI3585DV-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP


メーカー: Vishay / Siliconix

Datasheet: SI3585DV-T1-GE3

価格:

USD $0.65

株式: 15 pcs

製品パラメータ

シリーズ
TrenchFET®
fet234タイプ
N and P-Channel
包装
Tape & Reel (TR)
FET特徴
Logic Level Gate
部地位
Obsolete
-マックス
830mW
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ベース部材番号
SI3585
vgs (th) (max) @ id
600mV @ 250µA (Min)
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
125mOhm @ 2.4A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ
6-TSOP
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
3.2nC @ 4.5V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
20V
入力容量(ciss) (max) @ vds
-
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
2A, 1.5A

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