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SI4004DY-T1-GE3
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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SI4004DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC


メーカー: Vishay / Siliconix

Datasheet: SI4004DY-T1-GE3

価格:

USD $0.08

株式: 30 pcs

製品パラメータ

シリーズ
TrenchFET®
fet234タイプ
N-Channel
包装
Digi-Reel®
Vgs Max
±20V
技術
MOSFET (Metal Oxide)
FET特徴
-
部地位
Obsolete
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
vgs (th) (max) @ id
2.5V @ 250µA
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
13.8mOhm @ 11A, 10V
電力放蕩(マックス)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ
8-SO
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
33nC @ 10V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
20V
入力容量(ciss) (max) @ vds
1280pF @ 10V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
12A (Tc)
駆動電圧(max rds on, min rds on)
4.5V, 10V

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