SI4100DY-T1-GE3

製品パラメータ

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シリーズ

TrenchFET®

fet234タイプ

N-Channel

包装

Digi-Reel®

Vgs Max

±20V

技術

MOSFET (Metal Oxide)

FET特徴

-

部地位

Active

取付タイプ

Surface Mount

パケット/場合

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

vgs (th) (max) @ id

4.5V @ 250µA

作動温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

rds on (max) @ id, vgs

63mOhm @ 4.4A, 10V

電力放蕩(マックス)

2.5W (Ta), 6W (Tc)

サプライヤー装置パッケージ

8-SO

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

20nC @ 10V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

100V

入力容量(ciss) (max) @ vds

600pF @ 50V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

6.8A (Tc)

駆動電圧(max rds on, min rds on)

6V, 10V