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SI4310BDY-T1-E3
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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SI4310BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC


メーカー: Vishay / Siliconix

Datasheet: SI4310BDY-T1-E3

価格:

USD $0.59

株式: 92 pcs

製品パラメータ

シリーズ
TrenchFET®
fet234タイプ
2 N-Channel (Dual)
包装
Tape & Reel (TR)
FET特徴
Logic Level Gate
部地位
Obsolete
-マックス
1.14W, 1.47W
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
vgs (th) (max) @ id
3V @ 250µA
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
11mOhm @ 10A, 10V
サプライヤー装置パッケージ
14-SOIC
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
18nC @ 4.5V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
30V
入力容量(ciss) (max) @ vds
2370pF @ 15V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
7.5A, 9.8A

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