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SI4900DY-T1-E3
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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SI4900DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

メーカー: Vishay / Siliconix

Datasheet: SI4900DY-T1-E3

価格:

USD $0.74

株式: 11224 pcs

製品パラメータ

シリーズ
TrenchFET®
fet234タイプ
2 N-Channel (Dual)
包装
Digi-Reel®
FET特徴
Logic Level Gate
部地位
Active
-マックス
3.1W
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ベース部材番号
SI4900
vgs (th) (max) @ id
3V @ 250µA
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
58mOhm @ 4.3A, 10V
サプライヤー装置パッケージ
8-SO
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
20nC @ 10V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
60V
入力容量(ciss) (max) @ vds
665pF @ 15V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
5.3A

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