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SI5902BDC-T1-E3
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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SI5902BDC-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8


メーカー: Vishay / Siliconix

Datasheet: SI5902BDC-T1-E3

価格:

USD $0.34

株式: 1835 pcs

製品パラメータ

シリーズ
TrenchFET®
fet234タイプ
2 N-Channel (Dual)
包装
Digi-Reel®
FET特徴
Logic Level Gate
部地位
Active
-マックス
3.12W
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
8-SMD, Flat Lead
vgs (th) (max) @ id
3V @ 250µA
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
65mOhm @ 3.1A, 10V
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
7nC @ 10V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
30V
入力容量(ciss) (max) @ vds
220pF @ 15V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
4A (Tc)

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