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SI6562CDQ-T1-GE3
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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SI6562CDQ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP


メーカー: Vishay / Siliconix

Datasheet: SI6562CDQ-T1-GE3

価格:

USD $0.05

株式: 4350 pcs

製品パラメータ

シリーズ
TrenchFET®
fet234タイプ
N and P-Channel
包装
Digi-Reel®
FET特徴
Logic Level Gate
部地位
Active
-マックス
1.6W, 1.7W
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ベース部材番号
SI6562
vgs (th) (max) @ id
1.5V @ 250µA
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
22mOhm @ 5.7A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ
8-TSSOP
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
23nC @ 10V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
20V
入力容量(ciss) (max) @ vds
850pF @ 10V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
6.7A, 6.1A

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