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SI7530DP-T1-E3
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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SI7530DP-T1-E3

MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8


メーカー: Vishay / Siliconix

Datasheet: SI7530DP-T1-E3

価格:

USD $0.48

株式: 53 pcs

製品パラメータ

シリーズ
TrenchFET®
fet234タイプ
N and P-Channel
包装
Digi-Reel®
FET特徴
Logic Level Gate
部地位
Obsolete
-マックス
1.4W, 1.5W
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
PowerPAK® SO-8 Dual
ベース部材番号
SI7530
vgs (th) (max) @ id
3V @ 250µA
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
75mOhm @ 4.6A, 10V
サプライヤー装置パッケージ
PowerPAK® SO-8 Dual
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
20nC @ 10V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
60V
入力容量(ciss) (max) @ vds
-
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
3A, 3.2A

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