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SI7900AEDN-T1-GE3
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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SI7900AEDN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8


メーカー: Vishay / Siliconix

Datasheet: SI7900AEDN-T1-GE3

価格:

USD $0.11

株式: 6 pcs

製品パラメータ

シリーズ
TrenchFET®
fet234タイプ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
包装
Digi-Reel®
FET特徴
Logic Level Gate
部地位
Active
-マックス
1.5W
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
PowerPAK® 1212-8 Dual
ベース部材番号
SI7900
vgs (th) (max) @ id
900mV @ 250µA
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
26mOhm @ 8.5A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ
PowerPAK® 1212-8 Dual
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
16nC @ 4.5V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
20V
入力容量(ciss) (max) @ vds
-
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
6A

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