SI8900EDB-T2-E1

製品パラメータ

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シリーズ

TrenchFET®

fet234タイプ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

包装

Tape & Reel (TR)

FET特徴

Logic Level Gate

部地位

Active

-マックス

1W

取付タイプ

Surface Mount

パケット/場合

10-UFBGA, CSPBGA

ベース部材番号

SI8900

vgs (th) (max) @ id

1V @ 1.1mA

作動温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

rds on (max) @ id, vgs

-

サプライヤー装置パッケージ

10-Micro Foot™ CSP (2x5)

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

-

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

20V

入力容量(ciss) (max) @ vds

-

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

5.4A