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SIA912DJ-T1-GE3
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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SIA912DJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6


メーカー: Vishay / Siliconix

Datasheet: SIA912DJ-T1-GE3

価格:

USD $0.36

株式: 93 pcs

製品パラメータ

シリーズ
TrenchFET®
fet234タイプ
2 N-Channel (Dual)
包装
Cut Tape (CT)
FET特徴
Logic Level Gate
部地位
Obsolete
-マックス
6.5W
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
PowerPAK® SC-70-6 Dual
ベース部材番号
SIA912
vgs (th) (max) @ id
1V @ 250µA
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
40mOhm @ 4.2A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ
PowerPAK® SC-70-6 Dual
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
11.5nC @ 8V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
12V
入力容量(ciss) (max) @ vds
400pF @ 6V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
4.5A

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