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SIR770DP-T1-GE3
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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SIR770DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8


メーカー: Vishay / Siliconix

Datasheet: SIR770DP-T1-GE3

価格:

USD $0.83

株式: 55 pcs

製品パラメータ

シリーズ
TrenchFET®
fet234タイプ
2 N-Channel (Dual)
包装
Digi-Reel®
FET特徴
Logic Level Gate
部地位
Active
-マックス
17.8W
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
PowerPAK® SO-8 Dual
vgs (th) (max) @ id
2.8V @ 250µA
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
21mOhm @ 8A, 10V
サプライヤー装置パッケージ
PowerPAK® SO-8 Dual
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
21nC @ 10V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
30V
入力容量(ciss) (max) @ vds
900pF @ 15V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
8A

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