SISF20DN-T1-GE3

製品パラメータ

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シリーズ

TrenchFET® Gen IV

fet234タイプ

2 N-Channel (Dual)

包装

Cut Tape (CT)

FET特徴

Standard

部地位

Active

-マックス

5.2W (Ta), 69.4W (Tc)

取付タイプ

Surface Mount

パケット/場合

PowerPAK® 1212-8SCD

vgs (th) (max) @ id

3V @ 250µA

作動温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

rds on (max) @ id, vgs

13mOhm @ 7A, 10V

サプライヤー装置パッケージ

PowerPAK® 1212-8SCD

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

33nC @ 10V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

60V

入力容量(ciss) (max) @ vds

1290pF @ 30V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

14A (Ta), 52A (Tc)