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SIZ700DT-T1-GE3
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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SIZ700DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8


メーカー: Vishay / Siliconix

Datasheet: SIZ700DT-T1-GE3

価格:

USD $0.96

株式: 92 pcs

製品パラメータ

シリーズ
TrenchFET®
fet234タイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
包装
Tape & Reel (TR)
FET特徴
Standard
部地位
Obsolete
-マックス
2.36W, 2.8W
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
6-PowerPair™
vgs (th) (max) @ id
2.2V @ 250µA
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
8.6mOhm @ 15A, 10V
サプライヤー装置パッケージ
6-PowerPair™
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
35nC @ 10V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
20V
入力容量(ciss) (max) @ vds
1300pF @ 10V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
16A

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