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SQJ962EP-T1-GE3
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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SQJ962EP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO


メーカー: Vishay / Siliconix

Datasheet: SQJ962EP-T1-GE3

価格:

USD $0.59

株式: 41 pcs

製品パラメータ

シリーズ
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
fet234タイプ
2 N-Channel (Dual)
包装
Tape & Reel (TR)
FET特徴
Logic Level Gate
部地位
Obsolete
-マックス
25W
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
PowerPAK® SO-8 Dual
vgs (th) (max) @ id
2.5V @ 250µA
作動温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
60mOhm @ 4.3A, 10V
サプライヤー装置パッケージ
PowerPAK® SO-8 Dual
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
14nC @ 10V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
60V
入力容量(ciss) (max) @ vds
475pF @ 25V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
8A

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