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BYV10-600PQ
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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BYV10-600PQ

DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC


メーカー: WeEn Semiconductors

Datasheet: BYV10-600PQ

価格:

USD $0.66

株式: 4295 pcs

製品パラメータ

速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ
-
包装
Tube
ダイオードタイプ
Standard
部地位
Active
取付タイプ
Through Hole
パケット/場合
TO-220-2
静電容量@ vr, f
-
サプライヤー装置パッケージ
TO-220AC
逆回復時間(trr)
50ns
電流-逆リーク@ vr
10µA @ 600V
電圧- dcリバース(vr) (max)
600V
現在-平均整流(io)
10A
動作温度-ジャンクション
175°C (Max)
電圧-順方向(vf) (max) @ if
2V @ 10A

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