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画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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BYV30B-600PJ

DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK


メーカー: WeEn Semiconductors

Datasheet: BYV30B-600PJ

価格:

USD $0.99

株式: 40 pcs

製品パラメータ

速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ
-
包装
Tape & Reel (TR)
ダイオードタイプ
Standard
部地位
Active
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
静電容量@ vr, f
-
サプライヤー装置パッケージ
D2PAK
逆回復時間(trr)
75ns
電流-逆リーク@ vr
10µA @ 600V
電圧- dcリバース(vr) (max)
600V
現在-平均整流(io)
30A
動作温度-ジャンクション
175°C (Max)
電圧-順方向(vf) (max) @ if
1.55V @ 30A

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