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BYV415K-600PQ
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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BYV415K-600PQ

DIODE GEN PURP 600V 15A TO3P


メーカー: WeEn Semiconductors

Datasheet: BYV415K-600PQ

価格:

USD $0.05

株式: 97 pcs

製品パラメータ

速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ
-
包装
Tube
ダイオードタイプ
Standard
部地位
Active
取付タイプ
Through Hole
パケット/場合
TO-3P-3, SC-65-3
ダイオード構成
1 Pair Common Cathode
サプライヤー装置パッケージ
TO-3P
逆回復時間(trr)
45ns
電流-逆リーク@ vr
10µA @ 600V
電圧- dcリバース(vr) (max)
600V
動作温度-ジャンクション
-65°C ~ 175°C
電圧-順方向(vf) (max) @ if
2.1V @ 15A
電流-平均整流(io)(ダイオード当たり)
15A

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