EPC2016C

製品パラメータ

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シリーズ

eGaN®

fet234タイプ

N-Channel

包装

Tape & Reel (TR)

Vgs Max

+6V, -4V

技術

GaNFET (Gallium Nitride)

FET特徴

-

部地位

Active

取付タイプ

Surface Mount

パケット/場合

Die

vgs (th) (max) @ id

2.5V @ 3mA

作動温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

rds on (max) @ id, vgs

16mOhm @ 11A, 5V

電力放蕩(マックス)

-

サプライヤー装置パッケージ

Die

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

4.5nC @ 5V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

100V

入力容量(ciss) (max) @ vds

420pF @ 50V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

18A (Ta)

駆動電圧(max rds on, min rds on)

5V