TK650A60F,S4X

製品パラメータ

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シリーズ

U-MOSIX

fet234タイプ

N-Channel

包装

Tube

Vgs Max

±30V

技術

MOSFET (Metal Oxide)

FET特徴

-

部地位

Active

取付タイプ

Through Hole

パケット/場合

TO-220-3 Full Pack

vgs (th) (max) @ id

4V @ 1.16mA

作動温度

150°C

rds on (max) @ id, vgs

650mOhm @ 5.5A, 10V

電力放蕩(マックス)

45W (Tc)

サプライヤー装置パッケージ

TO-220SIS

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

34nC @ 10V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

600V

入力容量(ciss) (max) @ vds

1320pF @ 300V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

11A (Ta)

駆動電圧(max rds on, min rds on)

10V