TK65E10N1,S1X

製品パラメータ

---

シリーズ

U-MOSVIII-H

fet234タイプ

N-Channel

包装

Tube

Vgs Max

±20V

技術

MOSFET (Metal Oxide)

FET特徴

-

部地位

Active

取付タイプ

Through Hole

パケット/場合

TO-220-3

vgs (th) (max) @ id

4V @ 1mA

作動温度

150°C (TJ)

rds on (max) @ id, vgs

4.8mOhm @ 32.5A, 10V

電力放蕩(マックス)

192W (Tc)

サプライヤー装置パッケージ

TO-220

ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs

81nC @ 10V

ドレイン-ソース間電圧(vdss)

100V

入力容量(ciss) (max) @ vds

5400pF @ 50V

電流-連続ドレイン(id) @ 25°c

148A (Ta)

駆動電圧(max rds on, min rds on)

10V