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SI4967DY-T1-E3
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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SI4967DY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC


メーカー: Vishay / Siliconix

Datasheet: SI4967DY-T1-E3

価格:

USD $0.97

株式: 94 pcs

製品パラメータ

シリーズ
TrenchFET®
fet234タイプ
2 P-Channel (Dual)
包装
Tape & Reel (TR)
FET特徴
Logic Level Gate
部地位
Obsolete
-マックス
2W
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
vgs (th) (max) @ id
450mV @ 250µA (Min)
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
23mOhm @ 7.5A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ
8-SO
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
55nC @ 10V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
12V
入力容量(ciss) (max) @ vds
-
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
-

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