Menu Navigation

SI7802DN-T1-GE3
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
thumb-0

SI7802DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8


メーカー: Vishay / Siliconix

Datasheet: SI7802DN-T1-GE3

価格:

USD $0.26

株式: 15 pcs

製品パラメータ

シリーズ
TrenchFET®
fet234タイプ
N-Channel
包装
Digi-Reel®
Vgs Max
±20V
技術
MOSFET (Metal Oxide)
FET特徴
-
部地位
Obsolete
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
PowerPAK® 1212-8
vgs (th) (max) @ id
3.6V @ 250µA
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
435mOhm @ 1.95A, 10V
電力放蕩(マックス)
1.5W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ
PowerPAK® 1212-8
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
21nC @ 10V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
250V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
1.24A (Ta)
駆動電圧(max rds on, min rds on)
6V, 10V

あなたも興味があるかもしれません