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SI7804DN-T1-GE3
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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SI7804DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8


メーカー: Vishay / Siliconix

Datasheet: SI7804DN-T1-GE3

価格:

USD $0.5

株式: 97 pcs

製品パラメータ

シリーズ
TrenchFET®
fet234タイプ
N-Channel
包装
Tape & Reel (TR)
Vgs Max
±20V
技術
MOSFET (Metal Oxide)
FET特徴
-
部地位
Active
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
PowerPAK® 1212-8
vgs (th) (max) @ id
1.8V @ 250µA
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
18.5mOhm @ 10A, 10V
電力放蕩(マックス)
1.5W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ
PowerPAK® 1212-8
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
13nC @ 5V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
30V
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
6.5A (Ta)
駆動電圧(max rds on, min rds on)
4.5V, 10V

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