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SI7925DN-T1-E3
画像は参考値です。製品の詳細については、製品仕様書をご覧ください
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SI7925DN-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8


メーカー: Vishay / Siliconix

Datasheet: SI7925DN-T1-E3

価格:

USD $0.14

株式: 79 pcs

製品パラメータ

シリーズ
TrenchFET®
fet234タイプ
2 P-Channel (Dual)
包装
Tape & Reel (TR)
FET特徴
Logic Level Gate
部地位
Obsolete
-マックス
1.3W
取付タイプ
Surface Mount
パケット/場合
PowerPAK® 1212-8 Dual
vgs (th) (max) @ id
1V @ 250µA
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
rds on (max) @ id, vgs
42mOhm @ 6.5A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ
PowerPAK® 1212-8 Dual
ゲートチャージ(qg) (max) @ vgs
12nC @ 4.5V
ドレイン-ソース間電圧(vdss)
12V
入力容量(ciss) (max) @ vds
-
電流-連続ドレイン(id) @ 25°c
4.8A

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